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- LED产业应用
- ALN
- Flip Chip Ag
- ITO
- ODR Ag reflect layer
- Metal (Multilayer)
ALN
ALN膜层特性
- 提升亮度
- 缩短GaN成长时间
- 磊晶工艺范围变宽,提升良率
友威的优势
- 真空高温技术
- 欧美品质,国产价格
- 提供ALN镀膜代工服务
- 品质监控,量测Lab:d.n.k,α-STEP,XRD,AFM,光谱仪,应力量测
Flip Chip Ag
设备规格
- 工作尺寸: 420mm x 650mm
- 机台尺寸: L 3.5M x W 2.2M x H 2.3M
- 产能: 2” 300K/Mon
- 计算基础: 24hr/26Day
设备特色
- 全系统可搭配2”, 4”, 6”治具生产
- 超低温高速成膜
- Lowdamage Ag复合层
- Grain小反射率高
- Foot plant占地小
- 磁性流体传动导入
- 全机无油设计
- 快速换靶机构
设备规格
- 工作尺寸: 420mm x 650mm
- 机台尺寸: L 4.8M x W 2.3M x H 1.85M
- 产能: 2” 45K/Mon
- 产能: 4” 10K/Mon
- 计算基础: 24hr/26Day
设备特色
- 全系统可搭配2”, 4”, 6”治具生产
- 超低温高速成膜
- Lowdamage Ag复合层
- 超致密膜Ag复合层
- Grain小反射率高
- 磁性流体传动导入
- 全机无油设计
- 快速换靶机构
ITO
设备规格
- 工作尺寸: 350mm x 350mm
- 机台尺寸: L 4.2M x W 2.5M x H 2.4M
- 产能: Kioth-I100 2” 116K/Mon
- 产能: Kioth-I200 2” 230K/Mon
- 计算基础: 24hr/26Day
设备特色
- 全系统可搭配2”, 4”, 6”治具生产
- MMC Cathode 搭载自动翻转
- Sputter 膜可控制较小Grain
- ITO薄膜致密性高、穿透率高
- Sputter Multi ITO薄膜结构设计
- Cathode I : Super Low Damage、薄膜
- Cathode II : Low Damage、极薄膜、高速成膜
- 磁性流体传动导入
- 全机无油设计
ODR Ag reflect layer
设备规格
- 工作尺寸: 300mm x 300mm
- 机台尺寸: L 4.8M x W 1.8M
- 产能: UHS-20503C4 2” 78K/Mon
- 计算基础: 22hr/26Day
设备特色
- 全系统可搭配2”, 4”, 6”治具生产
- 连续式溅镀系统
- 上掀式腔体门方便保养
- 自动回流系统、可整合自动化
- Sputter薄膜均匀稳定
- Ag薄膜致密性高、反射率>91%
- Ag Reflect薄膜叠构设计
- 全机磁性流体传动导入
Metal (Multilayer)
设备规格
- 工作尺寸: 250mm x 250mm x 10面
- 机台尺寸: L 3.5M x W 2.2M x H 2.6M
- 产能: UFE-11005P2 2” 63K/Mon
- 计算基础: 24hr/26Day
设备特色
- 全系统可搭配2”, 4”, 6”治具生产
- 针对多层薄膜、厚膜设计
- Low Damage磁控溅镀系统
- 极薄膜沉积、均匀稳定
- 低温成膜、制程温度监控
- 模组化设计方便保养
- 可整合自动化上下料系统
- 多层金属膜推力>50g
产品应用类别